Back ترانزستور التلامس النقطي Arabic Transistor de contacte Catalan Spitzentransistor German Point-contact transistor English ترانزیستور تماس نقطهای Persian Transistor kontak titik ID 点接触型トランジスタ Japanese Tranzystor ostrzowy Polish Transistor de contato pontual Portuguese Diodă cu contact punctiform Romanian
El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito. Fue desarrollado por los científicos de investigación John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947.[1][2] Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley. El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido, con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía .
- ↑ Hoddeson, Lillian (1981). «The Discover of the Point-Contact Transistor». Historical Studies in the Physical Sciences (University of California Press) 12 (1): 41 76.
- ↑ Cressler, John (2017). Silicon Earth: Introduction to Microelectronics and Nanotechnology (2 edición). CRC Press. p. 3-22. ISBN 9781351830201.